Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ефремов, М.Д. - Вариация края поглощения света в пленках SiN&sub(x) с кластерами кремния
Ефремов, М.Д. - Вариация края поглощения света в пленках SiN&sub(x) с кластерами кремния
Статья
Автор: Ефремов, М.Д.
Физика и техника полупроводников: Вариация края поглощения света в пленках SiN&sub(x) с кластерами кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ефремов, М.Д.
Физика и техника полупроводников: Вариация края поглощения света в пленках SiN&sub(x) с кластерами кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ефремов, М.Д.
Вариация края поглощения света в пленках SiN&sub(x) с кластерами кремния / М.Д.Ефремов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т.42,No.2. – с.202-207. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2008/02/p202-207.pdf. – Библиогр.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Ефремов, М.Д.
Вариация края поглощения света в пленках SiN&sub(x) с кластерами кремния / М.Д.Ефремов, [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2008. – Т.42,No.2. – с.202-207. – URL: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/ftp/2008/02/p202-207.pdf. – Библиогр.:11.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры