Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Zheng, Q.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Zheng, Q.
Loschmidt Echo Near a Dynamical Phase Transition in a Bose-Einstein Condensate
б.г.
ISBN отсутствует
Zheng, Q.
Loschmidt Echo Near a Dynamical Phase Transition in a Bose-Einstein Condensate
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Zheng, Q.
Decay of Loschmidt Echo in a Bose-Einstein Condensate at a Dynamical Phase Transition
б.г.
ISBN отсутствует
Zheng, Q.
Decay of Loschmidt Echo in a Bose-Einstein Condensate at a Dynamical Phase Transition
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zheng, Q.
Why Have Continuum Theories Previously Failed to Describe Sandpile Formation?
б.г.
ISBN отсутствует
Zheng, Q.
Why Have Continuum Theories Previously Failed to Describe Sandpile Formation?
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zheng, Q.
Design and Implementation of a High Resolution DAQ System for an (e, 2e + Ion) Electron Momentum ...
б.г.
ISBN отсутствует
Zheng, Q.
Design and Implementation of a High Resolution DAQ System for an (e, 2e + Ion) Electron Momentum ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zheng, Q.
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs
б.г.
ISBN отсутствует
Zheng, Q.
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Upset Sensitivity of 130-nm PD SOI SRAMs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zheng, Q.
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
б.г.
ISBN отсутствует
Zheng, Q.
Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zheng, Q.
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
б.г.
ISBN отсутствует
Zheng, Q.
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zheng, Q.
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM
б.г.
ISBN отсутствует
Zheng, Q.
Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM
б.г.
ISBN отсутствует