Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Раджапов, С.А. - Диффузионный метод формирования i-области в Si(Li)-детекторах ядерного излучения
Раджапов, С.А. - Диффузионный метод формирования i-области в Si(Li)-детекторах ядерного излучения
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Раджапов, С.А.
Атомная энергия: Диффузионный метод формирования i-области в Si(Li)-детекторах ядерного излучения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Раджапов, С.А.
Атомная энергия: Диффузионный метод формирования i-области в Si(Li)-детекторах ядерного излучения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Раджапов, С.А.
Диффузионный метод формирования i-области в Si(Li)-детекторах ядерного излучения / С.А.Раджапов // Атомная энергия. – 2007. – T.102, No.6. – с.385-386.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Раджапов, С.А.
Диффузионный метод формирования i-области в Si(Li)-детекторах ядерного излучения / С.А.Раджапов // Атомная энергия. – 2007. – T.102, No.6. – с.385-386.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы