Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Родиончикова, А.Д. - Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
Родиончикова, А.Д. - Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
Статья
Автор: Родиончикова, А.Д.
Журнал технической физики. Письма: Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Родиончикова, А.Д.
Журнал технической физики. Письма: Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Родиончикова, А.Д.
Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC / А.Д.Родиончикова, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2026. – Т. 52, № 5/6. – С. 18-21(№6). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/62458. – Библиогр.: 10.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Родиончикова, А.Д.
Метод регистрации фазы для визуализации однослойного и двуслойного графена на поверхности SiC / А.Д.Родиончикова, [и др.] // Журнал технической физики. Письма. – 2026. – Т. 52, № 5/6. – С. 18-21(№6). – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/62458. – Библиогр.: 10.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Привязано к:
Доступно
1 из 1