Электронный каталог

Статья

Андреева, Н.В.
Влияние токов утечки на резистивное переключение и процедуру формовки мемристивных OxRAM-устройств / Н.В.Андреева, [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. – 2025. – Т. 168, № 3. – С. 440-448. – URL: http://www.jetp.ras.ru/cgi-bin/dn/r_168_0440.pdf. – Библиогр.: 12.



Спец.(статьи,препринты) = С 36 - Физика твердого тела$