Электронный каталог

Статья

Андреев, Е.В.
Преобразователь энергии бета-распада *1*4C на базе SiC/Si / Е.В.Андреев, [и др.] // Физика элементарных частиц и атомного ядра. Письма. – 2025. – Т. 22, № 4. – С. 922-939. – URL: http://www1.jinr.ru/Pepan_letters/panl_2025_4/58_Andreev_utf.pdf. – Библиогр.: 63.

Представлены результаты исследования бета-вольтаических преобразователей энергии и конкретно устройств на базе гетероструктур с SiC/Si, использующих радионуклид &sup(14)C в качестве источника бета-излучения. В полупроводниковом чипе Si14C/Si органично интегрированы инжектор &sup(14)C и преобразователь энергии электронов бета-распада на основе гомо- или гетероперехода SiC/Si для повышения удельной мощности при обеспечении радиационной безопасности самопоглощением бета-излучения полупроводником. Достижимая плотность мощности 0,3 мкВт/см&sup(3) при толщинекарбида кремния 0,4 мкм, максимальная плотность тока короткого замыкания 900 нА/см2, КПД 21,31 %. Результаты моделирования и экспериментальные исследования свидетельствуют, что легированная радионуклидом пленка карбида кремния на подложке кремния имеет улучшенные выходные характеристики преобразователя энергии за счет оптимального распределения неравновесных зарядов во внутреннем слое структуры преобразователя с молекулярно встроенным инжектором. Впервые количественно установлено включение &sup(14)C в решетку SiC по изотопному сдвигу фононных мод (*D&sub(*wTO) = +15,0 см&sup(−1)). Актуальность задачи бета-вольтаики — в синхронизации достижений микроэлектроники и источников энергии для ее автономного функционирования на основе преобразования энергии высокой удельной плотности. Это возможность отложенного во времени, соответствующем периоду полураспада, включения программного обеспечения электронного устройства или накопления информации в базах данных на интегрированном чипе интегральной схемы «ИС — источник ее питания».



ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2025
Спец.(статьи,препринты) = С 36 - Физика твердого тела$