Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кукушкин, С.А. - Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga&sub(2)O&sub(3) методом хлорид-гидридной эпитаксии на подло...
Кукушкин, С.А. - Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga&sub(2)O&sub(3) методом хлорид-гидридной эпитаксии на подло...
Статья
Автор: Кукушкин, С.А.
Физика твердого тела: Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga&sub(2)O&sub(3) методом хлорид-гидридной эпитаксии на подло...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кукушкин, С.А.
Физика твердого тела: Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga&sub(2)O&sub(3) методом хлорид-гидридной эпитаксии на подло...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кукушкин, С.А.
Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga&sub(2)O&sub(3) методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110) / С.А.Кукушкин, [и др.] // Физика твердого тела. – 2025. – Т. 67, № 1. – С. 105-113. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/59775. – Библиогр.: 19.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Кукушкин, С.А.
Механизм роста эпитаксиальных слоев Ga&sub(2)O&sub(3) методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложке SiC/Si (110) / С.А.Кукушкин, [и др.] // Физика твердого тела. – 2025. – Т. 67, № 1. – С. 105-113. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/59775. – Библиогр.: 19.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Привязано к:
Доступно
1 из 1