Электронный каталог

Статья

Бобровский, Д.В.
Использование стенда "СОЧИ" для подтверждения неизменности кристалла микросхем / Д.В.Бобровский, Е.М.Сыресин, А.А.Сливин, Г.А.Филатов, [и др.]. – Текст : электронный // Безопасность информационных технологий. – 2025. – Т. 32, № 1. – С. 46-53. – URL: https://doi.org/10.26583/bit.2025.1.02. – Библиогр.: 16.

В работе проводится анализ возможной области применения стенда «СОЧИ» на базе линейного ускорителя тяжелых ионов (ЛУТИ) для целей контроля неизменности топологии кристалла в целях обеспечения доверенности ЭКБ. Одна из характеристик интегральной схемы (ИС), определяющаяся топологией и проектными нормами – чувствительность к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) по тиристорному эффекту и сбоям. Показано, что даже незначительные и не всегда заметные изменения топологии интегральной схемы могут приводить к резким изменениям параметров чувствительности по тиристорным эффектам (ТЭ), тогда как по одиночным сбоям изменения имеют место при изменении проектных норм и библиотечных элементов. Импульсный характер пучка на стенде «СОЧИ» не позволяют проводить испытания только очень чувствительных ЭКБ к воздействию ТЗЧ по тиристорному эффекту в количественном выражении (определение сечения эффекта), однако даже в этом случае возможно определять пороговое значение линейных потерь энергии возникновения ТЭ. Во всех других случаях параметры чувствительности ИС по одиночным радиационным эффектам могут быть определены.



ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2025
Спец.(статьи,препринты) = С 344.3 - Ядерная электроника$
Бюллетени = 30/025