Электронный каталог

Статья

Гуров, Ю.Б.
Влияние нейтронного облучения на характеристики SiC- и Si-детекторов / Ю.Б.Гуров, М.С.Довбненко, С.А.Евсеев, Н.И.Замятин, Ю.А.Копылов, С.В.Розов, Е.А.Стрелецкая, [и др.] // Приборы и техника эксперимента. – 2024. – № 6. – С. 38-43. – URL: https://doi.org/10.31857/S0032816224060045, https://www.elibrary.ru/elsymr. – Библиогр.: 13.

Представлены характеристики детекторов на основе кремния (Si) и карбида кремния (SiC), которые были облучены интегральными потоками нейтронов Ф = 5.1⋅10&sup(13), 5.4⋅10&sup(14) и 3.4⋅10&sup(15) н/см&sup(2) (1 МэВ/Si). Обнаружено, что для всех облученных образцов проводимость чувствительной области становится близкой к собственной. С помощью a-частиц было установлено, что для Si-детекторов, облученных минимальным потоком 5.1⋅1013 н/см&sup(2), эффективность собирания заряда h не превышает 1.5%. Для SiС-детекторов, облученных аналогичным потоком, h = 96%, а при облучении средним и максимальным потоками h уменьшилась до 70 и 1.5% соответственно. Таким образом, показано, что ухудшение работоспособности SiC-детекторов наступает при существенно более высоких дозовых нагрузках, чем при использовании Si-приборов.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2024