Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кожемякин, Г.Н. - Получение наноструктур Bi на подложках Si методом термического испарения
Кожемякин, Г.Н. - Получение наноструктур Bi на подложках Si методом термического испарения
Статья
Автор: Кожемякин, Г.Н.
Кристаллография: Получение наноструктур Bi на подложках Si методом термического испарения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кожемякин, Г.Н.
Кристаллография: Получение наноструктур Bi на подложках Si методом термического испарения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кожемякин, Г.Н.
Получение наноструктур Bi на подложках Si методом термического испарения / Г.Н.Кожемякин, [и др.] // Кристаллография. – 2024. – Т. 69, № 6. – С. 1037-1043. – URL: https://doi.org/10.31857/S0023476124060145. – Библиогр.: 29.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Кожемякин, Г.Н.
Получение наноструктур Bi на подложках Si методом термического испарения / Г.Н.Кожемякин, [и др.] // Кристаллография. – 2024. – Т. 69, № 6. – С. 1037-1043. – URL: https://doi.org/10.31857/S0023476124060145. – Библиогр.: 29.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
