Электронный каталог

Статья

Селюнин, А.С.
Изучение температурной стабильности высоковольтного ЦАП AD5535 для питания кремниевых фотоумножителей / А.С.Селюнин, Н.В.Анфимов, А.В.Рыбников, Д.В.Федосеев, В.И.Шаров // Физика элементарных частиц и атомного ядра. Письма. – 2023. – Т.20, №6. – С. 1455-1462. – URL: http://www1.jinr.ru/Pepan_letters/panl_2023_6/16_Selunin.pdf. – Библиогр.: 5.

Изучена работа высоковольтного 32-канального ЦАП AD5535 для питания кремниевых фо- тоумножителей (Si-ФЭУ). За счет встроенных высоковольтных буферных усилителей выходное напряжение регулируется в диапазоне до 200 В, что обеспечивает применение для широкого класса Si-ФЭУ, в том числе для их последовательного включения. Существенный выходной ток 500 мкА/канал позволяет запитывать матрицы и сборки Si-ФЭУ. В документации произ- водителя указана существенная температурная зависимость ∼ 200 ppm/◦C, что ограничивает применение данного ЦАП для питания Si-ФЭУ. Продемонстрирована высокая стабильность от- носительно температурыданного чипа, но поскольку это не гарантируется производителем, был разработан экспресс-метод поканального измерения температурной зависимости для массового применения ЦАП AD5535.



ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)2023
Спец.(статьи,препринты) = С 345 у - Радиотехнические и электронные устройства. Электротехнические устройства
Бюллетени = 9/024