Электронный каталог

Статья

Cao, J.
Total-Ionizing-Dose Effects on Polycrystalline-Si Channel Vertical-Charge-Trapping NAND Devices / J.Cao, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2022. – Vol.69, No.3, Pt.1. – P.314-320. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3133407. – Bibliogr.:44.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$