Электронный каталог -Privat, A. - Evidence of Interface Trap Build-Up in Irradiated 14-nm Bulk FinFET Technologies- Absopac

Статья
Автор: Privat, A.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Evidence of Interface Trap Build-Up in Irradiated 14-nm Bulk FinFET Technologies
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Privat, A.
Evidence of Interface Trap Build-Up in Irradiated 14-nm Bulk FinFET Technologies / A.Privat, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.5, Pt.1. – p.671-676. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2021.3065267. – Bibliogr.:22.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Privat, A. - Evidence of Interface Trap Build-Up in Irradiated 14-nm Bulk FinFET Technologies

Privat, A. - Evidence of Interface Trap Build-Up in Irradiated 14-nm Bulk FinFET Technologies

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Privat, A. - Evidence of Interface Trap Build-Up in Irradiated 14-nm Bulk FinFET Technologies

Privat, A. - Evidence of Interface Trap Build-Up in Irradiated 14-nm Bulk FinFET Technologies

Привязано к: