Электронный каталог

Статья

Bagatin, M.
Depth Dependence of Threshold Voltage Shift in 3-D Flash Memories Exposed to X-Rays / M.Bagatin, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2021. – Vol.68, No.5, Pt.1. – p.659-664. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.3047710. – Bibliogr.:21.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$