Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Dong, L. - Evolution of Ionization-Induced Defects in GLPNP Bipolar Transistors at Different Temperatures
Dong, L. - Evolution of Ionization-Induced Defects in GLPNP Bipolar Transistors at Different Temperatures
Статья
Автор: Dong, L.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Evolution of Ionization-Induced Defects in GLPNP Bipolar Transistors at Different Temperatures
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Dong, L.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Evolution of Ionization-Induced Defects in GLPNP Bipolar Transistors at Different Temperatures
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Dong, L.
Evolution of Ionization-Induced Defects in GLPNP Bipolar Transistors at Different Temperatures / L.Dong, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.9. – p.2003-2008. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.2981198. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Dong, L.
Evolution of Ionization-Induced Defects in GLPNP Bipolar Transistors at Different Temperatures / L.Dong, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2020. – Vol.67, No.9. – p.2003-2008. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2020.2981198. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1