Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Rodin, S. N. - GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography
Rodin, S. N. - GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography
Статья
Автор: Rodin, S. N.
Физика твердого тела: GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Rodin, S. N.
Физика твердого тела: GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Rodin, S.N.
GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography / S.N.Rodin, [et al.] // Физика твердого тела. – 2019. – Т.61, №12. – p.2333. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/48593.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Rodin, S.N.
GaN Selective Epitaxy in Sub-Micron Windows with Different Depths Formed by Ion Beam Nanolithography / S.N.Rodin, [et al.] // Физика твердого тела. – 2019. – Т.61, №12. – p.2333. – URL: https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/48593.
Спец.(статьи,препринты) = С 33 а - Нанофизика. Нанотехнология$
Привязано к:
Доступно
1 из 1