Электронный каталог -Wang, P. - Total-Ionizing-Dose Response of MoS&sub(2) Transistors with ZrO&sub(2) and h-BN Gate Dielectrics- Absopac

Статья
Автор: Wang, P.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total-Ionizing-Dose Response of MoS&sub(2) Transistors with ZrO&sub(2) and h-BN Gate Dielectrics
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Wang, P.
Total-Ionizing-Dose Response of MoS&sub(2) Transistors with ZrO&sub(2) and h-BN Gate Dielectrics / P.Wang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2019. – Vol.66, No.7, Pt.2. – p.1584-1591. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2885751. – Bibliogr.:43.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Wang, P. - Total-Ionizing-Dose Response of MoS&sub(2) Transistors with ZrO&sub(2) and h-BN Gate Dielectrics

Wang, P. - Total-Ionizing-Dose Response of MoS&sub(2) Transistors with ZrO&sub(2) and h-BN Gate Dielectrics

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Wang, P. - Total-Ionizing-Dose Response of MoS&sub(2) Transistors with ZrO&sub(2) and h-BN Gate Dielectrics

Wang, P. - Total-Ionizing-Dose Response of MoS&sub(2) Transistors with ZrO&sub(2) and h-BN Gate Dielectrics

Привязано к: