Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Donegani, E. M. - Study of Point- and Cluster-Defects in Radiation-Damaged Silicon
Donegani, E. M. - Study of Point- and Cluster-Defects in Radiation-Damaged Silicon

Статья
Автор: Donegani, E. M.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: Study of Point- and Cluster-Defects in Radiation-Damaged Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Donegani, E. M.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A: Study of Point- and Cluster-Defects in Radiation-Damaged Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Donegani, E.M.
Study of Point- and Cluster-Defects in Radiation-Damaged Silicon / E.M.Donegani, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A. – 2018. – Vol.898. – p.15-23. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2018.04.051. – Bibliogr.:17.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы
Donegani, E.M.
Study of Point- and Cluster-Defects in Radiation-Damaged Silicon / E.M.Donegani, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research A. – 2018. – Vol.898. – p.15-23. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nima.2018.04.051. – Bibliogr.:17.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы