Электронный каталог -Jiang, H. - Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node- Absopac

Статья
Автор: Jiang, H.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку

Статья

Jiang, H.
Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node / H.Jiang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2018. – Vol.65, No.8, Pt.1. – p.1866-1871. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2831002. – Bibliogr.:20.

Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Jiang, H. - Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node

Jiang, H. - Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node

Электронный каталог

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Jiang, H. - Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node

Jiang, H. - Power-Aware SE Analysis of Different FF Designs at the 14-/16-nm Bulk FinFET CMOS Technology Node

Привязано к: