Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Niu, Z. P. - Valley Hall Effect and Nernst Effect in Strain Engineered Graphene
Niu, Z. P. - Valley Hall Effect and Nernst Effect in Strain Engineered Graphene
Статья
Автор: Niu, Z. P.
Physics Letters A: Valley Hall Effect and Nernst Effect in Strain Engineered Graphene
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Niu, Z. P.
Physics Letters A: Valley Hall Effect and Nernst Effect in Strain Engineered Graphene
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Niu, Z.P.
Valley Hall Effect and Nernst Effect in Strain Engineered Graphene / Z.P.Niu, J.-M.Yao // Physics Letters A. – 2018. – Vol.382, No.13. – p.920-924. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2018.01.038. – Bibliogr.:47.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры
Niu, Z.P.
Valley Hall Effect and Nernst Effect in Strain Engineered Graphene / Z.P.Niu, J.-M.Yao // Physics Letters A. – 2018. – Vol.382, No.13. – p.920-924. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.physleta.2018.01.038. – Bibliogr.:47.
Спец.(статьи,препринты) = С 325.7 - Фуллерены (Сn). Атомные кластеры