Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Dang, L. D. T. - We-Quatro: Radiation-Hardened SRAM Cell with Parametric Process Variation Tolerance
Dang, L. D. T. - We-Quatro: Radiation-Hardened SRAM Cell with Parametric Process Variation Tolerance
Статья
Автор: Dang, L. D. T.
IEEE Transactions on Nuclear Science: We-Quatro: Radiation-Hardened SRAM Cell with Parametric Process Variation Tolerance
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Dang, L. D. T.
IEEE Transactions on Nuclear Science: We-Quatro: Radiation-Hardened SRAM Cell with Parametric Process Variation Tolerance
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Dang, L.D.T.
We-Quatro: Radiation-Hardened SRAM Cell with Parametric Process Variation Tolerance / L.D.T.Dang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.9. – p.2489-2496. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2728180. – Bibliogr.:18.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Dang, L.D.T.
We-Quatro: Radiation-Hardened SRAM Cell with Parametric Process Variation Tolerance / L.D.T.Dang, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.9. – p.2489-2496. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2728180. – Bibliogr.:18.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Привязано к:
Доступно
1 из 1