Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Gaillardin, M. - Total Ionizing Dose Response of Multiple-Gate Nanowire Field Effect Transistors
Gaillardin, M. - Total Ionizing Dose Response of Multiple-Gate Nanowire Field Effect Transistors
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Gaillardin, M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Response of Multiple-Gate Nanowire Field Effect Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Gaillardin, M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Total Ionizing Dose Response of Multiple-Gate Nanowire Field Effect Transistors
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Gaillardin, M.
Total Ionizing Dose Response of Multiple-Gate Nanowire Field Effect Transistors / M.Gaillardin, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.1. – p.2061-2068. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2702668. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Gaillardin, M.
Total Ionizing Dose Response of Multiple-Gate Nanowire Field Effect Transistors / M.Gaillardin, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.8, Pt.1. – p.2061-2068. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2017.2702668. – Bibliogr.:24.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$