Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Sogoyan, A. V. - A Simple Analytical Model of Single-Event Upsets in Bulk CMOS
Sogoyan, A. V. - A Simple Analytical Model of Single-Event Upsets in Bulk CMOS
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Sogoyan, A. V.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: A Simple Analytical Model of Single-Event Upsets in Bulk CMOS
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Sogoyan, A. V.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: A Simple Analytical Model of Single-Event Upsets in Bulk CMOS
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Sogoyan, A.V.
A Simple Analytical Model of Single-Event Upsets in Bulk CMOS / A.V.Sogoyan, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2017. – Vol.400. – p.31-36. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2017.03.139. – Bibliogr.:29.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$
Sogoyan, A.V.
A Simple Analytical Model of Single-Event Upsets in Bulk CMOS / A.V.Sogoyan, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2017. – Vol.400. – p.31-36. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2017.03.139. – Bibliogr.:29.
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$