Электронный каталог

Статья

Chen, W.
Total-Ionizing-Dose Effects on Resistance Stability of Programmable Metallization Cell Based Memory and Selectors / W.Chen, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2017. – Vol.64, No.1, Pt.1. – p.269-270. – URL: https://doi.org/10.1109/TNS.2016.2618359. – Bibliogr.:33.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$