Электронный каталог

Статья

Ma, Y.
High Fluence Swift Heavy Ion Structure Modification of the SiO&sub(2)/Si Interface and Gate Insulator in 65 nm MOSFETs / Y.Ma, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B. – 2017. – Vol.396. – p.56-60. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2017.01.018. – Bibliogr.:19.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$