Электронный каталог

Статья

Nguyen, K.V.
Improved n-Type 4H-SiC Epitaxial Radiation Detectors by Edge Termination / K.V.Nguyen, [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.6, Pt.2. – p.3199-3206. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2496902. – Bibliogr.:29.



Спец.(статьи,препринты) = С 344.1м - Полупроводниковые детекторы