Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Pejovic, M. M. - Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor
Pejovic, M. M. - Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor
Статья
Автор: Pejovic, M. M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Pejovic, M. M.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Pejovic, M.M.
Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor / M.M.Pejovic // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.4, Pt.2. – p.1905-1910. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2456211. – Bibliogr.:48.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 б - Дозиметрическая и радиометрическая аппаратура
Pejovic, M.M.
Application of p-Channel Power VDMOSFET as a High Radiation Doses Sensor / M.M.Pejovic // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2015. – Vol.62, No.4, Pt.2. – p.1905-1910. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2015.2456211. – Bibliogr.:48.
Спец.(статьи,препринты) = С 349 б - Дозиметрическая и радиометрическая аппаратура