Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Harty, T. P. - High-Fidelity Preparation, Gates, Memory, and Readout of a Trapped-Ion Quantum Bit
Harty, T. P. - High-Fidelity Preparation, Gates, Memory, and Readout of a Trapped-Ion Quantum Bit
Статья
Автор: Harty, T. P.
Physical Review Letters: High-Fidelity Preparation, Gates, Memory, and Readout of a Trapped-Ion Quantum Bit
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Harty, T. P.
Physical Review Letters: High-Fidelity Preparation, Gates, Memory, and Readout of a Trapped-Ion Quantum Bit
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Harty, T.P.
High-Fidelity Preparation, Gates, Memory, and Readout of a Trapped-Ion Quantum Bit / T.P.Harty, [et al.] // Physical Review Letters. – 2014. – Vol.113, No.22. – p.220501. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.113.220501. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 323 а - Фундаментальные вопросы квантовой механики. Скрытые параметры. Парадоксы. Теория измерений. Квантовые компьютеры
Harty, T.P.
High-Fidelity Preparation, Gates, Memory, and Readout of a Trapped-Ion Quantum Bit / T.P.Harty, [et al.] // Physical Review Letters. – 2014. – Vol.113, No.22. – p.220501. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.113.220501. – Bibliogr.:33.
Спец.(статьи,препринты) = С 323 а - Фундаментальные вопросы квантовой механики. Скрытые параметры. Парадоксы. Теория измерений. Квантовые компьютеры
Привязано к:
Доступно
1 из 1