Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Wijesundera, D. - A Simulation Study of Antimatter-Helium Ion Planar Channeling in Silicon
Wijesundera, D. - A Simulation Study of Antimatter-Helium Ion Planar Channeling in Silicon
Статья
Автор: Wijesundera, D.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: A Simulation Study of Antimatter-Helium Ion Planar Channeling in Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Wijesundera, D.
Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B: A Simulation Study of Antimatter-Helium Ion Planar Channeling in Silicon
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Wijesundera, D.
A Simulation Study of Antimatter-Helium Ion Planar Channeling in Silicon / D.Wijesundera, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2012. – Vol.287. – p.15-18. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2012.05.032. – Bibliogr.:9.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем
Wijesundera, D.
A Simulation Study of Antimatter-Helium Ion Planar Channeling in Silicon / D.Wijesundera, [et al.] // Nuclear Instruments & Methods in Physics Research B : Beam Interactins with Materials and Atoms. – 2012. – Vol.287. – p.15-18. – URL: http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2012.05.032. – Bibliogr.:9.
Спец.(статьи,препринты) = С 342 б2 - Прохождение заряженных частиц через кристаллы: каналирование, стринг-эффект, эффект "теней". Сверхтонкое взаимодействие для ядерных систем