Электронный каталог

Статья

Lee, S.
Electronic Structure of Realistically Extended Atomistically Resolved Disordered Si:P *d-Doped Layers / S.Lee, [et al.] // Physical Review B : Condensed Matter and Materials Physics. – 2011. – Vol.84, No.20. – p.205309. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.84.205309. – Bibliogr.:55.



Спец.(статьи,препринты) = С 325.3 - Неупорядоченные системы. Спиновые стекла