Электронный каталог

Статья

Liu, Z.
Total Ionizing Dose Enhanced DIBL Effect for Deep Submicron NMOSFET / Z.Liu, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.3, Pt.3. – p.1324-1331. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2128887. – Bibliogr.:19.



Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$