Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Zhang, L. - Fast Neutron Induced Nuclear Counter Effect in Hamamatsu Silicon PIN Diodes and APDs
Zhang, L. - Fast Neutron Induced Nuclear Counter Effect in Hamamatsu Silicon PIN Diodes and APDs
Статья
Автор: Zhang, L.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Fast Neutron Induced Nuclear Counter Effect in Hamamatsu Silicon PIN Diodes and APDs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Zhang, L.
IEEE Transactions on Nuclear Science: Fast Neutron Induced Nuclear Counter Effect in Hamamatsu Silicon PIN Diodes and APDs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Zhang, L.
Fast Neutron Induced Nuclear Counter Effect in Hamamatsu Silicon PIN Diodes and APDs / L.Zhang, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.3, Pt.3. – p.1249-1256. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2132144. – Bibliogr.:12.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1л - Нейтронные детекторы. Спектрометры. Монохроматоры
Zhang, L.
Fast Neutron Induced Nuclear Counter Effect in Hamamatsu Silicon PIN Diodes and APDs / L.Zhang, [a.o.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. – 2011. – Vol.58,No.3, Pt.3. – p.1249-1256. – URL: http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2132144. – Bibliogr.:12.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.1л - Нейтронные детекторы. Спектрометры. Монохроматоры