Электронный каталог

Препринты

Грубчин, Л.
Использование протонного облучения для улучшения свойств полупроводниковых структур с барьером Шоттки на основе GaAs / Л.Грубчин, А.П.Кобзев, Р.Шандрик, Я.Шафранкова. – Дубна : ОИЯИ, 1993. – 7 с. – (ОИЯИ ; Р14-93-75). – URL: http://inis.jinr.ru/sl/NTBLIB/JINR-P14-93-75.pdf. – Библиогр.: 5.



ОИЯИ = ОИЯИ (JINR)
Спец.(статьи,препринты) = С 349.1 - Действие излучения на материалы$