Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Mak, K. F. - Atomically Thin MoS&sub(2): a New Direct-Gap Semiconductor
Mak, K. F. - Atomically Thin MoS&sub(2): a New Direct-Gap Semiconductor
![](/OpacUnicode/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Mak, K. F.
Physical Review Letters: Atomically Thin MoS&sub(2): a New Direct-Gap Semiconductor
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Mak, K. F.
Physical Review Letters: Atomically Thin MoS&sub(2): a New Direct-Gap Semiconductor
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Mak, K.F.
Atomically Thin MoS&sub(2): a New Direct-Gap Semiconductor / K.F.Mak, [et al.] // Physical Review Letters. – 2010. – Vol.105, No.13. – p.136805. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.105.136805. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$
Mak, K.F.
Atomically Thin MoS&sub(2): a New Direct-Gap Semiconductor / K.F.Mak, [et al.] // Physical Review Letters. – 2010. – Vol.105, No.13. – p.136805. – URL: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.105.136805. – Bibliogr.:32.
Спец.(статьи,препринты) = С 344.4б - Методы приготовления тонких пленок$