Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Hu, C.-W. - Cobalt Nanodots Formed by Annealing the CoSiO Layer for the Application of the Nonvolatile Memory
Hu, C.-W. - Cobalt Nanodots Formed by Annealing the CoSiO Layer for the Application of the Nonvolatile Memory
Статья
Автор: Hu, C.-W.
Applied Physics Letters: Cobalt Nanodots Formed by Annealing the CoSiO Layer for the Application of the Nonvolatile Memory
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Hu, C.-W.
Applied Physics Letters: Cobalt Nanodots Formed by Annealing the CoSiO Layer for the Application of the Nonvolatile Memory
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Hu, C.-W.
Cobalt Nanodots Formed by Annealing the CoSiO Layer for the Application of the Nonvolatile Memory / C.-W.Hu, [a.o.] // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.94, No.10. – p.102106. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.3097810. – Bibliogr.:17.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства
Hu, C.-W.
Cobalt Nanodots Formed by Annealing the CoSiO Layer for the Application of the Nonvolatile Memory / C.-W.Hu, [a.o.] // Applied Physics Letters. – 2009. – Vol.94, No.10. – p.102106. – URL: http://dx.doi.org/10.1063/1.3097810. – Bibliogr.:17.
Спец.(статьи,препринты) = Ц 841 в - Запоминающие устройства
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Applied Physics Letters Vol.94, No.10
American Institute of Physics, 09/03/2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ
Applied Physics Letters Vol.94, No.10
American Institute of Physics, 09/03/2009 г.
ISBN отсутствует
Библиотека : ЦБ