Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Ma, T.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Статья
Ma, T.
Microstructural and Stress Properties of Ultrathin Diamondlike Carbon Films During Growth: Molecu...
б.г.
ISBN отсутствует
Ma, T.
Microstructural and Stress Properties of Ultrathin Diamondlike Carbon Films During Growth: Molecu...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ma, T.
Determination of Electron-Heated Temperatures of Petawatt Laser-Irradiated Foil Targets with 256 ...
б.г.
ISBN отсутствует
Ma, T.
Determination of Electron-Heated Temperatures of Petawatt Laser-Irradiated Foil Targets with 256 ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ma, T.
Estimating the Background Count Rate in the Energy Field from 0.55-2.75 MeV for Chang'E-1 Gamma-R...
б.г.
ISBN отсутствует
Ma, T.
Estimating the Background Count Rate in the Energy Field from 0.55-2.75 MeV for Chang'E-1 Gamma-R...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ma, T.
Quantum Monte Carlo Study of a Dominant s-Wave Pairing Symmetry in Iron-Based Superconductors
б.г.
ISBN отсутствует
Ma, T.
Quantum Monte Carlo Study of a Dominant s-Wave Pairing Symmetry in Iron-Based Superconductors
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ma, T.
Thin Shell, High Velocity Inertial Confinement Fusion Implosions on the National Ignition Facility
б.г.
ISBN отсутствует
Ma, T.
Thin Shell, High Velocity Inertial Confinement Fusion Implosions on the National Ignition Facility
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ma, T.
TID Degradation Mechanisms in 16-nm Bulk FinFETs Irradiated to Ultrahigh Doses
б.г.
ISBN отсутствует
Ma, T.
TID Degradation Mechanisms in 16-nm Bulk FinFETs Irradiated to Ultrahigh Doses
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ma, T.
Influence of Fin and Finger Number on TID Degradation of 16-nm Bulk FinFETs Irradiated to Ultrahi...
б.г.
ISBN отсутствует
Ma, T.
Influence of Fin and Finger Number on TID Degradation of 16-nm Bulk FinFETs Irradiated to Ultrahi...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ma, T.
Increased Device Variability Induced by Total Ionizing Dose in 16-nm Bulk nFinFETs
б.г.
ISBN отсутствует
Ma, T.
Increased Device Variability Induced by Total Ionizing Dose in 16-nm Bulk nFinFETs
б.г.
ISBN отсутствует